Компания SanDisk сделала значительный шаг вперёд, представив твердотельный накопитель SSD UltraQLC SN670 с рекордной для бренда ёмкостью 256 ТБ. Это масштабное решение позиционируется как революционное в индустрии хранения данных и предназначено для работы в условиях высоких нагрузок, таких как искусственный интеллект, большие данные и гипермасштабируемая инфраструктура. Ожидается, что первые поставки этого устройства начнутся уже в первой половине 2026 года, что значительно ускоряет потребность компаний в высокоёмких решениях для хранения информации.
Основой накопителя является 218-слойная 3D NAND-память BiCS с кристаллами ёмкостью 2 ТБ, использующая технологию CBA (CMOS directly Bonded to Array). Такой подход обеспечил плотное и энергоэффективное хранение данных, что особенно важно для современных требований в сфере высокой производительности. Подключение осуществлено через новейший интерфейс PCIe Gen5 NVMe, что обещает значительный прирост скорости передачи данных по сравнению с предыдущими стандартами. В рамках платформы SanDisk UltraQLC реализована концепция Direct Write QLC вместо традиционного кэша pseudo-SLC, что способствует повышению надёжности и уменьшению энергопотребления. Однако эта особенность может немного снизить показатели производительности, особенно в кратковременных, интенсивных нагрузках, например, при выполнении сложных вычислительных задач или обработке большого объёма запросов одновременно.
Компания SanDisk заявляет о существенном приросте характеристик: более чем на 68% повышена скорость случайного чтения, и на 55% — скорость случайной записи в сравнении с 128-терабайтным SSD 5-го поколения, основанным на QLC-памяти. Последовательное чтение увеличено более чем на 7%, а последовательная запись — на впечатляющие 27%. Такие показатели достигаются благодаря использованию технологий Dynamic Frequency Scaling, которая позволяет повысить производительность до 10% при том же уровне энергопотребления, а также за счет специально оптимизированного профиля сохранения данных (Data Retention). В результате этого снижается износ элементов устройства примерно на 33%, что важно для долговечности накопителя при постоянном использовании.
Несмотря на внушительные заявления, отсутствует публичный доступ к точным характеристикам по скорости чтения и записи, а также к значениям износостойкости, что ставит под сомнение возможность unabhängigen независимой оценки. Компания SanDisk подчеркивает, что использует собственный контроллер и прошивку, которые, по их мнению, обеспечивают снижение задержек и увеличение пропускной способности. Однако без внешних бенчмарков и сравнений IOPS тяжело судить о реальных возможностях устройства, особенно для профессионалов, ориентированных на критически важные параметры работы накопителя.
Исторически, решения SanDisk на основе QLC NAND демонстрировали определённые ограничения по сравнению с моделями на базе TLC NAND — в частности, по износостойкости и долговечности. Поэтому возможная оптимизация и развитие новых технологий в SN670 свидетельствуют о намерениях компании предложить более гибкие и мощные решения, но потребуются дополнительные данные и тесты для объективной оценки. На сегодняшний день, именно форм-фактор U.2 остается первым этапом выпуска этого продукта, а дальнейшие варианты, включая возможное внедрение в форм-факторе M.2 или другие, появятся в 2026 году.
Для аналитиков и профессионалов, работающих с хранением данных, это устройство может стать предметом особого интереса, поскольку представляет собой один из первых массовых образцов будущего высокоемкого хранения для центров обработки данных и облачных систем. В целом, перенос инновационных решений в высокотехнологичный сегмент показывает приставку компании SanDisk к современным тенденциям — повышению ёмкости и скорости при сохранении надежности и долговечности. Пока всё это — прорыв в реализации идеи гиперёмких и быстрых накопителей, укрепляющий позиции SanDisk как лидера в области хранения данных.
